这一成果标志着我国在化合物半导体核心装备领域取得重要突破，为产业链自主可控注入新动能。

GaN MOCVD外延设备是制造氮化镓（GaN）芯片的核心设备，长期以来被国际巨头垄断。随着人工智能、服务器电源、人形机器人等新兴技术领域对高性能硅基GaN功率芯片需求的爆发式增长，国内产业对高端装备的国产替代需求愈发迫切。

此次交付的GaN MOCVD外延设备凝聚了多项技术创新，其自主研发的温场与流场系统通过优化工艺环境，实现了外延膜层质量的显著提升，同时有效提高生产效率并降低综合使用成本。

该设备可灵活适配功率芯片、射频芯片及Micro LED等不同应用场景的外延生长需求，展现出广泛的技术兼容性。

值得关注的是，该设备从核心系统到整体设计均实现正向研发，拥有完整自主知识产权，既为客户提供了更具成本优势的国产化解决方案，也通过技术自主性强化了化合物半导体产业链的安全性与稳定性。

先为科技成立于2020年12月，是无锡先导集团在半导体领域的重点布局企业。

先为科技母公司无锡先导集团作为国内领先的智能装备制造集团，近年来持续深化"补链强链"战略，在半导体、锂电、光伏、3C等多个前沿领域形成矩阵式布局，已成功孵化先导智能、微导纳米等上市企业。

此次GaN MOCVD设备的成功交付，既是先为科技研发实力的集中体现，也是先导集团推动国产半导体装备高质量发展的里程碑事件，推动国内化合物半导体向更健康、更自主的方向发展。