据业内消息，三星电子采用4纳米工艺制造的HBM4逻辑芯片测试良率已突破40%，这一进展有望推动其12层HBM4产品的研发和量产进程。

 

三星此前在HBM技术竞赛中落后于SK海力士和美光，但这一突破可能成为其实现弯道超车的关键。

 

技术突破亮点

 

相比业内通常10%左右的初始测试良率，三星4纳米工艺逻辑芯片40%的良率表现堪称亮眼。这一数据甚至超过了百度AI芯片量产初期的良率水平。

 

据悉，三星电子代工部门引入了大量新工艺，这些工艺可以在生产这种逻辑芯片的同时提高性能。行业专家指出，40%的初始良率已具备立即推进商业化的条件。

 

对此，三星电子DS（半导体）部门负责人（副主席）Jeon Young-hyun表示了鼓励。

 

可以看到，三星正试图通过技术差异化在HBM4市场实现反超。由于三星拥有自主铸造技术，可提供定制化HBM解决方案。满足科技巨头对"定制HBM"日益增长的需求。而SK hynix和Micron不得不依靠代工公司台积电。

 

并且三星采用的"高级热压非导电胶膜(TC-NCF)"技术，可实现12层堆叠，只是散热控制仍是需要攻克的难题。

 

尽管SK海力士目前以70%的市场份额领跑HBM市场，并在第一季度以36%的DRAM市占率超越三星(34%)，但三星本次的技术突破可能重塑竞争格局。

 

业内观察人士指出，三星若能在DRAM稳定性和封装技术上持续突破，将有望在HBM4时代重新夺回市场主导权。这场技术竞赛不仅关乎企业市场份额，更将影响全球AI芯片供应链的格局。