根据美光公布的计划，约1,500亿美元将用于扩大本土存储器制造产能，另有500亿美元将投向关键领域的研发，包括用于高带宽存储器（HBM）和AI加速器的先进封装技术。

美光透露，此次投资较此前计划额外增加300亿美元，尽管美光去年曾放缓部分计划，但此前已承诺投资约1250亿美元在美国建厂。

这是美光在“美国制造”战略上的又一次重大加码，也刷新了美国本土半导体企业单次投资的历史记录（已超过台积电总计在美的1650亿美元投资）。

据了解，美光科技在爱达荷州的第一座晶圆厂计划于2027年开始生产，第二座爱达荷州晶圆厂预计将在第一座纽约州晶圆厂之前投入运营。

除了制造能力的扩大，美光还将投资建设用于HBM的先进封装能力，瞄准人工智能应用所需的高性能内存市场。在这方面，美光已取得显著进展。

就在不久前，美光凭借其最新的高性能和低耗能的LPDDR5X芯片成为英伟达下一代内存解决方案SOCAMM的首家供应商。消息称，英伟达可能将50%的SOCAMM订单交给美光。

此外，美光还在继SK海力士之后，率先向英伟达交付了第六代高带宽内存（HBM4）样品，并于本周向多个关键客户发运了36GB、12层的HBM4产品，计划于2026年实现产能提升。

美光方面表示，公司致力于构建一个更加稳健、安全且高效的本地供应链，以支持未来人工智能、大数据、自动驾驶等关键技术对高性能存储器不断增长的需求。