台积电4月8日宣布，美国商务部和台积电亚利桑那州公司已签署一份不具约束力的初步条款备忘录（preliminary memorandum of terms，PMT），根据《芯片和科学法案》获得高达66亿美元的直接资金。台积电还宣布计划在台积电亚利桑那州建造第三座晶圆厂，以利用美国最先进的半导体工艺技术满足客户需求。

台积电表示，随着台积电在完成其第一座晶圆厂的进展，并继续在其亚利桑那州子公司建设第二座晶圆厂，第三座晶圆厂使台积电在亚利桑那州凤凰城基地的总资本支出超过650亿美元，使该基地成为亚利桑那州历史上最大的外国直接投资，也是美国历史上最大的外商直接投资。

台积电董事长刘德音表示：“《芯片与科学法案》为台积电提供了进行这项前所未有的投资的机会，并为我们提供美国最先进的制造技术的代工服务。我们的美国业务使我们能够更好地支持我们的美国客户，其中包括几家世界领先的技术公司。我们的美国业务也将扩大我们的能力，以开拓半导体技术的未来进步。”

台积电首席执行官魏哲家表示，很荣幸能够为移动、人工智能和高性能计算领域的先驱客户提供支持，无论是在芯片设计、硬件系统还是软件、算法和大型语言模型方面，他们是带动最先进硅需求的创新者，而这些是台积电所能提供的。

台积电亚利桑那州的第一家晶圆厂有望在 2025 年上半年开始采用 4nm 技术进行生产。第二家晶圆厂将生产世界上最先进的 2nm 工艺技术，除了之前宣布的 3nm 片晶体管外，还将采用下一代纳米片晶体管，将于2028年开始生产。第三家晶圆厂将使用 2nm 或更先进的工艺生产芯片，并于本世纪末开始生产。与台积电的所有先进晶圆厂一样，这三家晶圆厂中的每一个都将拥有大约两倍于行业标准逻辑晶圆厂的洁净室面积。

除了拟议的66亿美元直接融资外，PMT还提议向台积电提供高达50亿美元的贷款。台积电计划向美国财政部申请投资税收抵免，最高可达台积电亚利桑那州合格资本支出的25%。公司仍然致力于实现其长期财务目标，即以美元计算的收入复合年增长率（CAGR）为15-20%，毛利率为53%或更高，股本回报率（ROE）为25%或更高。

AMD董事长兼首席执行官苏姿丰（Lisa Su）表示：“今天的公告凸显了雷蒙多国务卿和整个政府的坚定承诺，即确保美国在创建地理上更加多样化和更具弹性的半导体供应链方面发挥核心作用。台积电在提供领先的制造能力方面有着悠久的记录，这使AMD能够专注于我们最擅长的领域，设计改变世界的高性能芯片。我们致力于与台积电的合作，并期待在美国制造我们最先进的芯片。”

“我们祝贺台积电的历史性投资，并赞扬商务部的支持。自从我们发明 GPU 和加速计算以来，台积电一直是 Nvidia 的长期合作伙伴，没有他们，我们在人工智能（AI）方面的持续创新是不可能的。我们很高兴能继续与台积电合作，因为它为亚利桑那州带来了尖端设施，”英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋说。