据Trendforce报道，Hyper-NA EUV光刻机售价预计达7.24亿美元，甚至会更高。

 

而目前ASML每台EUV光刻机的价格仅为1.81亿美元，High-NA EUV光刻机的价格约为3.8亿美元。

 

这也意味着Hyper-NA EUV光刻机的价格会是High-NA EUV光刻机的2倍之多。

 

高昂的设备采购成本无疑会让台积电（TSMC）、三星和英特尔等芯片巨头们变得犹豫不决。

 

 

由于High-NA EUV光刻机较的超高定价，已经率先让台积电变得犹豫不决。

 

台积电将计划尽可能地让现有EUV光刻机发挥其最大的性能，并通过升级现有工具、更多地采用多重曝光等技术手段，以减少采购新设备的支出。

 

此前台积电已经公开表达了对High-NA EUV光刻机使用成本的担忧，表示采用新技术的决定取决于最大经济效益和可实现技术之间的平衡，并拒绝透露引入High-NA EUV技术的时间表。今年台积电推出了A16工艺，在外界看来，一定程度上是为了延后启用新设备的时间。

 

三星也在考虑High-NA EUV光刻机，不过随着Hyper-NA EUV光刻机的时间表变得清晰，可能选择调整其长期路线图。有业内人士透露，对于涉及1nm以下的工艺，现在采购High-NA EUV可能不是最佳选择，其中一种可行性是最大限度地利用手上的EUV设备，跳过High-NA EUV，直接过渡到Hyper-NA EUV。

 

虽然英特尔是首个购入High-NA EUV光刻机的客户，但是去年其代工业务亏损了70亿美元，今年第一季度甚至亏损还扩大了。如果贸然采购下一代EUV光刻设备，很可能会面临严峻的财务挑战。