王庆宇进一步表示，GaN器件具有高频、高效率等特征。相比硅，GaN开关速度更快，在高频下运行效率更高；另外，终端应用尺寸更小，系统成本更具优势。相比SiC，硅基GaN具有成本优势。另外，采用硅衬底，具有稳定的供应链优势。

 

GaN可为设备提高系统效率与性能、节省内部空间，并且能够在高温环境下稳定工作，在密集型应用中渗透明显。随着技术的成熟，成本下探的GaN将迅速向各个应用领域渗透。按目前的市场分布来看，消费类领域依旧是GaN的主要“战场”。自2018年以来，用于快速充电器的硅基氮化镓芯片现日趋成为成熟的应用，尤其是在中国市场。快充领域作为当前功率氮化镓的最主要的应用领域之一，在未来数年仍具有广阔的市场空间。除快充市场外，功率氮化镓在家电、电源适配器、数据中心、新能源汽车、锂电池等领域同样具有巨大的潜在应用市场。目前，400V平台主流是IGBT，800V工艺平台开始使用SiC，硅基GaN未来可以应用到微型车、小型车。

 

上海新微半导体是一家先进化合物半导体晶圆代工企业，公司成立于2020年1月，位于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。在功率电子领域，新微半导体提供基于硅基氮化镓衬底的功率工艺解决方案。公司具备6吋非金工艺的晶圆代工能力，为客户提供高性能和低成本的40V~650V氮化镓功率器件代工服务。

 

上海瞻芯电子科技股份有限公司 CEO张永熙对《SiC MOSFET的设计、制造和应用—从Fabless到IDM》进行了概述，他分析指出，2018年特斯拉Model 3的首次采用，使得SiC产业开始迎来大规模发展。由于SiC材料优异的击穿场强和热传导性能，SiC MOSFET将是高压大功率应用的不二选择。

从SiC MOSFET技术的发展路径来看，平面型和沟槽型MOSFET开始并驾齐驱：1200V Rsp进入2~3mΩ·cm²时代；预计到2025年，这一数值将降低到2mΩ·cm²以下。沟槽型MOSFET逐步成为下一代SiC MOSFET的路线选择。栅氧化层界面态密度的控制，以及提高沟道电子迁移率和栅氧化层的可靠性，仍然是工业界研发的重点方向。

 

SiC MOSFET需要经历工艺和器件定义——>工艺和器件模拟——>测试结构设计——>流片验证多个关键环节。SiC芯片特殊的制造工艺需要高温离子注入、高温激活、高温栅氧化、欧姆接触/RTP、减薄、激光退火等，此外，SiC还需要进行特殊的测试，除标准可靠性测试之外，针对SiC器件独特的材料特性和电学特性，需要开展一系列More-than-JEDEC的可靠性测试：包括栅极TDDB，模拟真实运行场景的高温老化测试，带有门级尖峰的动态HTGB测试，体二极管双极退化测试。可以看出，SiC的生产，极其考验SiC芯片制造上的能力。

 

因此，IDM将是车用SiC芯片的最佳商业模式，这主要是因为可以实现高质量的生产管控，充足的产能保障，更快的工艺技术迭代。国产SiC MOSFET的起跑已经完成，充足的产能保证和交付能力将是第二阶段发展的决定性因素。车芯联动将是更重要的发展战略，这给了国产芯片一个同台竞技的公平竞争机会，与此同时，芯片公司要跟整车厂或者Tier1紧密合作、共同迭代出创新型产品。

 

东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司CEO蒋俊海就《电子束量测检测设备国产化的突围之路》进行了探讨。他谈到，集成电路量检测设备对保证芯片加工制造过程中的良率至关重要。例如，制造过程中缺陷检测的关键设备EBI、芯片制造过程中关键尺寸的电子束量测设备CD-SEM，以及芯片制造过程中工艺缺陷检测分析的关键设备DR-SEM，它们可帮助集成电路制造厂精确检测硅片上的电性和物理缺陷并进行分析，并对芯片进行关键尺寸量测，实现关键工艺参数的监控以及对工艺改善提供准确的数据支持。

然而，目前国内电子束装备在某些领域仍存在被卡脖子的状况，对我国集成电路产业安全构成重大威胁。蒋俊海指出，电子束检测量测设备的国产化需要突破“高分辨率、高加速电压、高产能、智能化”四大关键技术难点。

 

围绕着四大难点，东方晶源开启了国产化的突破之路。通过自主创新突破或绕过国外厂商构建的知识产权壁垒。深入了解国内IC制造头部企业客户需求及痛点，双方紧密合作，针对国内集成电路制造需求进行技术开发攻关。面对潜在进口限制风险，及早进行国产替代方案布局，培养精密加工工艺供应商，合作共进，实现材料、加工、装调、集成全流程质量控制，搭建与培养可靠而稳定的国产供应链体系。

 

鸿之微科技（上海）股份有限公司董事长曹荣根介绍了《鸿之微在半导体工业软件上的努力》。他强调了在半导体产业中，从基础材料设计，到器件设计，再到工艺流程仿真，以及生产中的工艺参数控制和优化过程，工业软件在其中都发挥着重要的作用，但是这些软件目前都基本上都由国外企业提供。

鸿之微作为一家专注于材料设计和工艺仿真软件开发的公司，自2014年起，稳扎稳打，从电子材料设计软件开始，十年精心打磨产品，逐渐为半导体行业提供可靠的材料设计软件nanoDCAL、器件设计和工艺流程仿真软件TCAD、HAPC和HFDC软件工具等，实现国产替代，解决卡脖子问题。

 

 

在论坛的圆桌对话环节，以“产业与资本双向奔赴，携手跨越‘毕业答辩’季”为主题，来自多家公司的高管和校友进行了精彩的讨论和分析。

 

上海集成电路材料研究院副总裁冯黎，担任圆桌会议主持人，圆桌对话的嘉宾包括中巨芯科技股份有限公司副总经理何永根、科意半导体设备集团全球副总裁、中国区董事长兼总经理以及求是缘半导体联盟副理事长兼秘书长徐若松、中微半导体设备（上海）股份有限公司董事会秘书兼副总经理刘晓宇、盛美半导体设备（上海）股份有限公司副总经理陈福平、天风证券股份有限公司副总裁兼研究所所长赵晓光、海复星创富投资管理股份有限公司联席董事长兼首席执行官徐欣，以及上海喆塔信息科技有限公司CEO赵文政。他们围绕与复旦大学的“缘起”、国产集成电路的“思辨”及其“预见”展开了深入探讨和分析。

在圆桌对话中，嘉宾们结合各自的丰富经验和专业视角，深入剖析了国产集成电路产业的发展现状和未来机遇。他们一致认为，产业与资本的紧密结合将是推动中国半导体行业迈向新高峰的关键。同时，嘉宾们也强调了技术创新、人才培养和国际合作的重要性，认为这些因素将共同助力中国在全球半导体产业链中占据更加重要的位置。圆桌讨论在热烈的掌声中结束，参会者纷纷表示受益匪浅，对未来的发展充满信心和期待。

 

集成电路是人类有史以来最依赖全球化市场与协作和最复杂的产业，在当前充满挑战的环境下，相信通过这次复旦大学校友论坛，将进一步加强校友之间的交流与合作，凝聚集成电路产业发展共识，推动产业创新协同发展，为实现国家集成电路产业发展目标作出贡献。